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技術(shù)文章
Technical articles
更新時(shí)間：2023-03-06
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SYET-HoloL電磁輻射分析儀（可測(cè)低頻/高頻/微波）
適用標(biāo)準(zhǔn)
《工作場所有害因素職業(yè)接觸限值 第2部分：物理因素》（GBZ2.2-2007）；
《工作場所物理因素測(cè)量第1部分：超高頻電磁場》（GBZ/T 189.1-2007）；
《工作場所物理因素測(cè)量第2部分：高頻電磁場》（GBZ/T 189.2-2007）；
《工作場所物理因素測(cè)量第3部分：1Hz~100kHz電場和磁場》（GBZ/T 189.3-2018）；
《工作場所物理因素測(cè)量 第5部分：微波輻射》（GBZ/T 189.5-2007）；
《輻射環(huán)境保護(hù)管理導(dǎo)則電磁輻射監(jiān)測(cè)儀器和方法》（HJ/T10.2-1996）；
《輻射環(huán)境保護(hù)管理導(dǎo)則電磁輻射環(huán)境影響評(píng)價(jià)方法與標(biāo)準(zhǔn)》（HJ/T10.3-1996）；
《交流輸變電工程電磁環(huán)境監(jiān)測(cè)方法（試行）》(HJ681—2013)；
《移動(dòng)通信基站電磁輻射環(huán)境監(jiān)測(cè)方法》（HJ972-2018）；
《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）；
《電磁輻射暴露限值和測(cè)量方法》（GJB5313A-2017)
《限制時(shí)變電場、磁場和電磁場暴露的導(dǎo)則（300GHz以下）》（ICNIRP1998導(dǎo)則）；
《限制時(shí)變電場和磁場暴露的導(dǎo)則（1Hz~100kHz）》（ICNIRP2010導(dǎo)則）；
《限制時(shí)變電場和磁場暴露的導(dǎo)則（100kHz~300GHz）》（ICNIRP2020導(dǎo)則）；
《關(guān)于人體暴露于基站附近的電磁場強(qiáng)度現(xiàn)場測(cè)量用基本標(biāo)準(zhǔn)》（EN 50492-2008）等
技術(shù)參數(shù)：
頻率范圍 | 1Hz~300GHz |
顯示單位 | V/m、kV/m、uW/cm2、W/m2、mW/cm2、A/m、mA/m、nT、uT、mT、標(biāo)準(zhǔn)計(jì)權(quán)值%，根據(jù)結(jié)果自動(dòng)切換V/m和kV/m等 |
結(jié)果類型 | 實(shí)時(shí)值、標(biāo)準(zhǔn)計(jì)權(quán)值%、15秒RMS、自定義時(shí)長RMS、平均值、最大值、最小值、統(tǒng)計(jì)場強(qiáng)值（E5、E50、E80、E95） |
采樣間隔 | 200ms |
數(shù)據(jù)刷新間隔 | 實(shí)時(shí)值、標(biāo)準(zhǔn)計(jì)權(quán)值、三軸實(shí)時(shí)值1s刷新 15秒RMS、平均值、統(tǒng)計(jì)場強(qiáng)值15s刷新 自定義時(shí)長RMS數(shù)據(jù)根據(jù)設(shè)置時(shí)間刷新 |
數(shù)據(jù)存儲(chǔ) | 8GB，不低于100w條數(shù)據(jù) |
電池 | 使用時(shí)間≥9小時(shí)，充電時(shí)間≤3小時(shí) |
顯示精度 | 數(shù)據(jù)顯示至小數(shù)點(diǎn)后3位，百分比顯示至小數(shù)點(diǎn)后1位 |
溫度 | 工作溫度-10℃-40℃，貯藏溫度-40℃-60℃ |
濕度 | 相對(duì)濕度0~95%，無冷凝 |
防護(hù)等級(jí) | IP55 |
尺寸 | 320*110*45(L*W*H,mm) |
重量 | 635g |
輔助功能說明 | |
溫濕度檢測(cè) | 溫度：0℃~50℃溫度測(cè)量范圍；數(shù)據(jù)精度提供到小數(shù)點(diǎn)后1位 |
藍(lán)牙拓展 | 支持藍(lán)牙連接打印機(jī)、手機(jī)等，數(shù)據(jù)打印或數(shù)據(jù)傳輸 |
產(chǎn)品配置：
SYET-HoloL | 1Hz-6.5GHz | SY-550L電磁輻射分析主機(jī) SY0691電場探頭 SY-50L工頻探頭 綜合電源適配器 可充電電池組 數(shù)據(jù)連接線纜, USB 接口 光纖，10m 三腳架 SY系列專用硬質(zhì)便攜箱 設(shè)備操作與使用說明手冊(cè) 出廠檢測(cè)報(bào)告 專用工具 |
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